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突触后电位及其产生机制
突触前膜将递质释入突触间隙后，经扩散到达突触后膜，作用于后膜上的特异性受体或化学门控通道，引起后膜对某些离子通透性的改变，使某些带电离子进出后膜，突触后膜即发生一定程度的去极化或超极化，从而形成突触后电位。
1.兴奋性突触后电位(EPSP)：是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。其产生机制是兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，使递质门控通道(化学门控通道)开放，后膜主要对Na+的通透性增大，发生净内向电流，从而引起后膜的局部去极化。
2.抑制性突触后电位(IPSP)：是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化。其产生机制是抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，结果引起后膜的局部超极化。此外，IPSP的形成还可能与突触后膜钾通道的开放或钠通道和钙通道的关闭有关。
【突触后电位例题·B1型题】
A.动作电位
B.阈电位
C.局部电位
D.静息电位
E.后电位
1.终板电位是
2.兴奋性突触后电位是
【答案】C;C
【解析】终板电位是神经肌肉传递时在终板部位所看到的局部电位变化。兴奋性突触后电位是指兴奋性神经递质作用于突触后膜而产生的电位。神经冲动传入神经末梢时，兴奋性神经递质与突触后膜的受体结合，提高了膜对离子的通透性。这促使膜外的钠离子迅速内流，造成膜内钠离子急剧增加，膜内电位高于膜外，引起突触后膜的去极化，膜电位降低。是突触后膜产生兴奋的表现。属于局部电位。
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