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案例分析$lesson$
一、建设项目与相关产业政策的相符性分析
"线宽1.2gm以下大规模集成电路设计制造"列入《产业结构调整指导目录(2005年本)》中鼓励类，是当前国家重点鼓励发展的产业。2001年11月，国家发展计划委员会和科学技术部颁发的《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》第17条规定，近期产业化的重点是：以加强集成电路设计为重点，积极支持集成电路设计和整机开发相结合，设计开发市场需求较大的整机产品所需的各种专用集成电路和系统级芯片，线宽0.18gm以下的深亚微米集成电路及配套的IP库。扩大集成电路生产加工和封装能力，提高工艺技术水平，扩大产品品种和生产规模;积极鼓励国内外有经济实力和技术实力的企业以及投资机构在国内建立国际先进水平的集成电路芯片生产线，提高我国集成电路生产技术水平。
原国家经济贸易委员会、财政部、科学技术部、国家税务总局《关于印发<国家产业技术政策)的通知》(国经贸技术[2002]444号)的"四、重点产业技术发展方向，(一)高新技术及产业化"中明确：要优先发展深亚微米集成电路。
本项目产品方案为8英寸0.35-0.18gm芯片和12英寸0.13-0.09gm芯片，属深亚微米集成电路，符合国家产业政策要求。
二、项目分析
1.工程分析的基本要求和要点
芯片生产的工艺复杂，约有数百道工序，使用50多种化学原料，其中包括20多种化学危险品。此类工程应给出全厂生产总流程和标示排污节点的工艺流程图，并应有原、辅料消耗表。案例中将生产工艺概况为硅片清洗、氧化、光刻、蚀刻、扩散、离子植入、化学气相沉积、金属化、后加工等九部分是适宜的。鉴于此类项目须用多种有毒有害化学品，工程分析应作总物料衡算和主要污染因子，如氟、氯平衡。需要注意的是一些生产工艺会被重复多次，污染流程分析中应按照具体工序分别统计污染源和"三废"排放量。
2.污染源和污染物
(1)废气
芯片生产各工序涉及的有毒有害气态污染化学物质包括：
外延工序--SiH3、SiHCl3、SiH2Cl：、SiCl4、AsH，、B2H6、PH3、HCl、H：
清洗工序--112SO'、H202、HN03、HCI、HF、H3P04、NH4F、NHaOH
光刻工序--异丙醇、醋酸丁酯、甲苯、C12、BCl，、C：F6、C3F8、CF4、SF6、I-IF、HCl、NO、C3H8、HBr、H，S
化学机械抛光--NH40H、NH4C1、KOH、有机酸盐
化学气相沉积--SiH4、SiU：Cl：、SiHCl3、SiCl：、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NH3、HCl、I-IF、NH9
扩散、离子注入--书F3、AsH，、PH3、H：、Sill4、SiH2C12、BBr3、BCl3、B：1l
金属化工序：--SiH4、BCl，、AICl，、TiCld、WE6、TiF4、siF4、A1F3、BF3、sF6
对于酸碱废气(HF、HCl、H2SO：、HN03、H3P04、C12、NH3)采用湿式洗涤塔处理，净化效率为95%。
对于特殊气体(SiH4、PH，、AsH3)采用炭纤维加湿式洗涤塔处理，净化效率为85%-90%.
对于有机废气(VOC)采用沸石浓缩转轮燃烧法处理，净化效率为95%。
(2)水污染物
芯片生产排放的废水及处理方法为：
含氟废水--来源显影，刻蚀、CMP工序，处理方法为CaCl沉淀法
酸碱废水--来源清洗工序，处理方法为中和法
纯水制备再生废水--来源活性炭或树脂及冲洗水，处理方法为中和法
洗涤塔废水--来源酸、碱喷淋，处理方法为中和法
研磨废水--来源研磨工序，采用沉淀法处理
生活污水--生化法处理
(3)固体废物
危险废物--硫酸废渣。磷酸废渣、显影废液、异丙醇废液、硫酸铵废液、废有机溶剂、废光刻胶、污水处理站污泥
一般固体废物--废金属、废玻璃、废塑料(有机溶剂容器除外)、废芯片、可回收包装材料
生活垃圾
3.清洁生产
目前，国家公布的清洁生产名录中，尚无集成电路的相关内容。环评中应在国内外类比调查基础上从生产工艺、原材料、能源消耗等方面论证，用单位产品的物耗、能耗、水耗，污染物产生量和排放量指标量化分析。在原料清洁性评价中以下化学品应不使用或尽量少使用：①含氯的有机溶剂②氟氯烃③高毒化学品。
以下几个指标应在环评中关注：
单位产品的原辅材料使用量--磷酸、硝酸、硫酸、盐酸、氢氟酸、氢氧化铵、光刻胶、显影剂、丙酮、异丙醇。
单位产品的物耗、能耗指标--新鲜水、高纯水、电、大宗工艺气体、压缩空气、蒸汽、冷量
单位产品污染物产生量和排放量--氯化物、HCl、硫酸雾、Cl：、硝酸雾、Sill4、磷酸雾、PH3\AsHl\VOCs、COD、NH、--N、SS、F、AOX、砷、硼、钨
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